制造商编号

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO-263, TRENCHSTOPTM5系列

RS 库存编号:: 273-2957
制造商零件编号:: IGB20N65S5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO-263, TRENCHSTOPTM5系列

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RS 库存编号:: 273-2957
制造商零件编号:: IGB20N65S5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	40A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	125W
	包装类型	TO-263
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最低工作温度	-40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.35V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	系列	TRENCHSTOPTM5
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 40A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 125W
	包装类型 TO-263
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最低工作温度 -40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.35V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	系列 TRENCHSTOPTM5
	汽车标准否

Datasheet - IGB20N65S5ATMA1

Infineon IGBT 带 TO263 封装的防平行二极管,适合与单开/关门电阻器一起使用。

无需带米勒钳位的栅极驱动器

减少所需的EMI滤波

非常适合并联

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