Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 74 A, VCEO 650 V, TO-263, High Speed Fifth Generation系列

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包装方式:
RS 库存编号:
215-6651
制造商零件编号:
IKB40N65EF5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT 单晶体管 IC

最大连续集电极电流 Ic

74A

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

250W

包装类型

TO-263

安装类型

表面

槽架类型

N

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.6V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

JEDEC47/20/22

系列

High Speed Fifth Generation

汽车标准

英飞凌高速快速切换绝缘栅双极晶体管、带全额定电流快速 1 快速软反并联二极管 Rapid : Infineon 超线性超大双路二极管。

高效

低切换损耗

增强的可靠性

低电磁干扰

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