Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 55 A, VCEO 650 V, TO-247, High Speed Fifth Generation系列

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包装方式：
RS 库存编号:
215-6673
Distrelec 货号:
304-31-965
制造商零件编号:
IKW30N65H5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

55A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

188W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

3

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.65V

最低工作温度

-40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最高工作温度

175°C

高度

5.21mm

长度

42mm

系列

High Speed Fifth Generation

宽度

16.13mm

标准/认证

JEDEC

汽车标准

否

the Infineon 650V 双路绝缘栅极双极晶体管是第五代高速开关系列的二极管。

高效

低切换损耗

增强的可靠性

低电磁干扰

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