Infineon N型沟道 IGBT, Ic 55 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 215-6671
- 制造商零件编号:
- IKW30N65H5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥435.48
(不含税)
¥492.09
(含税)
有库存
- 另外 30 件在 2026年3月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB14.516 | RMB435.48 |
| 60 - 90 | RMB14.08 | RMB422.40 |
| 120 + | RMB13.658 | RMB409.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6671
- 制造商零件编号:
- IKW30N65H5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 55A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 长度 | 42mm | |
| 宽度 | 16.13 mm | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 55A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
长度 42mm | ||
宽度 16.13 mm | ||
高度 5.21mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 650V 双路绝缘栅极双极晶体管是第五代高速开关系列的二极管。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰