Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 55 A, VCEO 650 V, TO-247, High Speed Fifth Generation系列

RS 库存编号:: 215-6671
制造商零件编号:: IKW30N65H5XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 55 A, VCEO 650 V, TO-247, High Speed Fifth Generation系列

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 管，共 30 件）*

RMB499.80

(不含税)

RMB564.90

在 2027年3月05日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Tube*
30 - 30	RMB16.66	RMB499.80
60 - 90	RMB16.16	RMB484.80
120 +	RMB15.676	RMB470.28

* 参考价格

RS 库存编号:: 215-6671
制造商零件编号:: IKW30N65H5XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	55A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	188W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	±30 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.65V
	最高工作温度	175°C
	系列	High Speed Fifth Generation
	宽度	16.13mm
	长度	42mm
	标准/认证	JEDEC
	高度	5.21mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 55A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 188W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V
	最高工作温度 175°C
	系列 High Speed Fifth Generation
	宽度 16.13mm
	长度 42mm
	标准/认证 JEDEC
	高度 5.21mm
	汽车标准否

Datasheet-IKW30N65H5XKSA1

Infineon 高速第五代系列 IGBT,650V 集电极-发射极电压,55A 集电极电流 - IKW30N65H5XKSA1

该 IGBT 是一款电源开关设备，专为苛刻工业环境中的高速开关而设计。它可在宽温度范围内工作,专为通孔安装在 TO-247 封装中而设计,在热处理与高电压能力之间实现平衡,适用于功率转换和电机控制应用。

特性和优点：

• 650V 耐受能力支持高压开关任务
• 55A 连续电流可承受重负载运行
• 1.65V Vce(sat) 可减少接通状态下的传导损耗
• ±30V 栅极发射极额定值可实现稳健的栅极驱动移动
• 188W 功耗可实现持久热负载
• 工作温度高达 175°C,确保高温可靠性

应用

• 适用于工业电机驱动逆变器
• 与高压电源转换器配合使用
• 适用于开关模式电源级
• 可用于感应加热系统
• 用于不间断电源输出级

电路组装提供哪种封装格式?

它采用 TO-247 通孔封装,适用于标准散热器和印刷电路板安装。

在连续运行过程中,它能承受哪种热环境?

它专为在低至 -40°C 和高达 175°C 的温度范围内工作,适用于高温应用。

安装时需要多少个外部连接?

该设备提供三个用于集电极、发射极和栅极连接的引脚,与单通道电源开关一致。

此设备是否适用于汽车认证?

它不符合汽车级标准,不应被视为符合汽车标准的替代品。