Infineon N沟道反向导电 IGBT, 3针, Ic 65 A, VCEO 650 V, TO-247, IHW30N65R6系列

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包装方式：
RS 库存编号:
225-0572
制造商零件编号:
IHW30N65R6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

反向导电 IGBT

最大连续集电极电流 Ic

65A

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

160W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.6V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

JEDEC47/20/22

高度

5.3mm

宽度

16.3mm

长度

41.9mm

系列

IHW30N65R6

汽车标准

否

Infineon IHW30N65R6 是 650 V ， 30 A IGBT ，带单自由集成二极管，采用 TO-247 封装，带单自由集成二极管，设计用于使用半桥谐振拓扑满足感应加热应用的严苛要求。

坚固耐用，温度行为稳定

低 EMI

无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

强大的单片反向导电二极管，具有低正向电压

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