Infineon N沟道反向导电 IGBT, 3针, Ic 80 A, VCEO 1350 V, TO-247, Resonant Switching系列
- RS 库存编号:
- 215-6642
- 制造商零件编号:
- IHW40N135R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 管，共 30 件）*
RMB571.44
(不含税)
RMB645.72
(含税)
有库存
- 另外 150 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB19.048 | RMB571.44 |
| 60 - 90 | RMB18.667 | RMB560.01 |
| 120 + | RMB18.293 | RMB548.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6642
- 制造商零件编号:
- IHW40N135R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 产品类型 | 反向导电 IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1350V | |
| 最大功耗 Pd | 394W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±25 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | Resonant Switching | |
| 标准/认证 | JESD-022, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
产品类型 反向导电 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1350V | ||
最大功耗 Pd 394W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±25 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 Resonant Switching | ||
标准/认证 JESD-022, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 谐振开关系列绝缘栅极晶体管具有低饱和电压。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
相关链接
- Infineon N沟道反向导电 IGBT, 3针, Ic 80 A, VCEO 1350 V, TO-247, Resonant Switching系列
- Infineon N沟道反向导电 IGBT, 3针, Ic 80 A, VCEO 650 V, TO-247, Resonant Switching系列
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 40 A, VCEO 1350 V, TO-247, Resonant Switching系列
- Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO-247, Resonant Switching系列
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 60 A, VCEO 1200 V, TO-247, Resonant Switching系列
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 60 A, VCEO 650 V, TO-247, Resonant Switching系列
- Infineon IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 20 A, VCEO 1200 V, PG-TO-247, Resonant Switching系列
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 30 A, VCEO 1200 V, TO-247, Resonant Soft-Switching系列