Infineon IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3
- RS 库存编号:
- 215-6646
- 制造商零件编号:
- IHW50N65R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 2 件）*
¥46.88
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | RMB23.44 | RMB46.88 |
| 8 - 14 | RMB22.735 | RMB45.47 |
| 16 + | RMB22.06 | RMB44.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6646
- 制造商零件编号:
- IHW50N65R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 282 W | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 282 W | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon 反向导电绝缘栅双极晶体管、带单片主体二极管。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰