Infineon N型沟道, IHW50N65R6XKSA1 反向导电 IGBT, Ic 83 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装

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包装方式:
RS 库存编号:
225-0576
制造商零件编号:
IHW50N65R6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

反向导电 IGBT

最大连续集电极电流 Ic

83A

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

251W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.6V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

系列

TrenchStop

汽车标准

Infineon IHW50N65R6 是 650 V , 50 A IGBT ,带单自由集成二极管,采用 TO-247 封装,带单自由集成二极管,设计用于使用半桥谐振拓扑满足感应加热应用的严苛要求。

频率范围 20-75 kHz

低 EMI

非常紧密的参数分布

最大工作 TJ 为 175 °C