Infineon IGBT模块, 7个, Ic 39 A, VCEO 1200 V
- RS Stock No.:
- 244-5391
- Mfr. Part No.:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB326.49 |
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| 4 - 4 | RMB307.28 |
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*price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5391
- Mfr. Part No.:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 39 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 最大功率耗散 | 175 W | |
| 晶体管数 | 7 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 39 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
最大功率耗散 175 W | ||
晶体管数 7 | ||
Infineon IGBT 模块最大额定重复 Peak 集电极电流为 50 A ，最大集电极 - 发射极饱和电压为 2.25 V ，栅极阈值电压为 6.4 V
集电极 - 发射极切断电流 1.0 mA
切换条件下的温度 150° C
栅极 - 发射器泄漏电流 400 nA
反向传输电容 0.05 NF
切换条件下的温度 150° C
栅极 - 发射器泄漏电流 400 nA
反向传输电容 0.05 NF