制造商编号

onsemi IGBT模块, 4个, Ic 303 A, VCEO 1000 V, Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

RS 库存编号:: 245-6973
制造商零件编号:: NXH350N100H4Q2F2P1G
制造商:: onsemi

onsemi IGBT模块, 4个, Ic 303 A, VCEO 1000 V, Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

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RS 库存编号:: 245-6973
制造商零件编号:: NXH350N100H4Q2F2P1G
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	最大连续集电极电流	303 A
	最大集电极-发射极电压	1000 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	4
	最大功率耗散	592 W
	封装类型	Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

	选择全部
	品牌 onsemi
	最大连续集电极电流 303 A
	最大集电极-发射极电压 1000 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 4
	最大功率耗散 592 W
	封装类型 Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2P1G

Si/SiC 混合模块 - EliteSiC，I 型 NPC 1,000 V，350 A IGBT，1,200 V，100 A SiC 二极管，Q2 封装压接引脚

ON Semiconductor 三级 NPC Q2Pack 模块是高密度集成电源模块，结合了高性能 IGBT 和坚固的反并联二极管。

极其高效的沟道，采用场截止技术
低切换损耗可减少系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
低封装高度
这些设备无铅，无卤，符合 RoHS 标准

onsemi IGBT模块, 4个, Ic 303 A, VCEO 1000 V, Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

Si/SiC 混合模块 - EliteSiC，I 型 NPC 1,000 V，350 A IGBT，1,200 V，100 A SiC 二极管，Q2 封装压接引脚

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。