Infineon IGBT晶体管模块, Ic 95 A, VCEO 650 V, ACEPACK 2
- RS 库存编号:
- 259-1503
- 制造商零件编号:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB401.13 |
| 5 - 9 | RMB381.07 |
| 10 - 29 | RMB365.83 |
| 30 - 49 | RMB354.86 |
| 50 + | RMB344.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1503
- 制造商零件编号:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 95 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 275 W | |
| 封装类型 | ACEPACK 2 | |
| 配置 | 阵列6 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 95 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 275 W | ||
封装类型 ACEPACK 2 | ||
配置 阵列6 | ||
Infineon easy pack 2B 模块,带 trenchstop IGBT3、发射器控制 3 二极管和 PressFIT / NTC。
阻塞电压能力增加至 650V
低切换损耗
低 VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 基片,具有低热阻
高功率密度
低切换损耗
低 VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 基片,具有低热阻
高功率密度