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Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 12 A, VCEO 600 V, TO-263, TrenchStop系列

Name: Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 12 A, VCEO 600 V, TO-263, TrenchStop系列
Brand: Infineon
SKU: 273-2968
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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	12A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	600V
	最大功耗 Pd	88W
	包装类型	TO-263
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.05V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	175°C
	系列	TrenchStop
	标准/认证	Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022
	宽度	10.31mm
	高度	4.57mm
	长度	9.45mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 12A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 600V
	最大功耗 Pd 88W
	包装类型 TO-263
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.05V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 175°C
	系列 TrenchStop
	标准/认证 Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022
	宽度 10.31mm
	高度 4.57mm
	长度 9.45mm
	汽车标准否

Infineon IGBT3 压缩,采用 TO263 D2Pak 封装的全额定自由旋转二极管,可显著改善设备的静态和动态性能,这得益于隧道电池和现场顶部概念的组合。组合

高坚固性和温度稳定性

非常紧凑的参数分布

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