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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB2.043 | RMB5,107.50 |
| 5000 - 7500 | RMB2.002 | RMB5,005.00 |
| 10000 + | RMB1.962 | RMB4,905.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-4252
- 制造商零件编号:
- MC14049BDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 逻辑功能 | 六反相器/缓冲器 | |
| 输入类型 | 单端 | |
| 输出类型 | 单端 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最长传播延迟时间@最长CL | 140ns | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 尺寸 | 10 x 4 x 1.5mm | |
| 最大工作电源电压 | 18 V | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最小工作电源电压 | 3 V | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 传输延迟测试条件 | 50pF | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 长度 | 10mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
逻辑功能 六反相器/缓冲器 | ||
输入类型 单端 | ||
输出类型 单端 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最长传播延迟时间@最长CL 140ns | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 16 | ||
尺寸 10 x 4 x 1.5mm | ||
最大工作电源电压 18 V | ||
高度 1.5mm | ||
最小工作电源电压 3 V | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
传输延迟测试条件 50pF | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
宽度 4mm | ||
长度 10mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MC14049B 六路反向器 / 缓冲器和 MC14050B 同向六路缓冲器采用单片结构，配备 MOS P 通道和 N 通道增强模式器件。这些辅助 MOS 器件主要用于需要低功耗和 / 或高噪声抗扰性的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 提供逻辑电平转换。 输入信号高电平 (VOI) 可以超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当设备用作 CMOS 到 TTL/DTL 转换器时，可以驱动两个 TTL/DTL 负载（ VDD = 5.0 V ，容积< =0.4 V ， IOL> =3.2 mA ）。
高源和吸入电流
高到低电平转换器
电源电压范围 =3.0 V 至 18 V
改进了对所有输入的 ESD 保护
高到低电平转换器
电源电压范围 =3.0 V 至 18 V
改进了对所有输入的 ESD 保护