STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, 4针, Hip-247-4, SCT系列
- RS 库存编号:
- 214-964
- 制造商零件编号:
- SCT070W120G3-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 214-964
- 制造商零件编号:
- SCT070W120G3-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 系列 | SCT | |
| 包装类型 | Hip-247-4 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
系列 SCT | ||
包装类型 Hip-247-4 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
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