STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=750 V, Id=30 A, 7针, HU3PAK, SCT系列
- RS 库存编号:
- 215-239
- 制造商零件编号:
- SCT060HU75G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 600 件）*
RMB48,637.20
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 600 + | RMB81.062 | RMB48,637.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-239
- 制造商零件编号:
- SCT060HU75G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 系列 | SCT | |
| 包装类型 | HU3PAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
系列 SCT | ||
包装类型 HU3PAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET设备采用ST先进、创新的第3代SiC MOSFET技术开发而成。此器件在整个温度范围内具有非常低的 RDS(on)，而且电容小且开关速度超快，可在频率、能效、系统尺寸和减重方面实现更高的应用性能。
高速开关性能
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
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