Nexperia N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=50 A, 8针, MLPAK, PXN系列

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RS 库存编号:
219-390
制造商零件编号:
PXN012-100QSJ
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

MLPAK

系列

PXN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

12mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

10V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

58W

最高工作温度

150°C

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

高度

0.8mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用 MLPAK33 封装。它专为各种标准应用而设计。主要用途包括二次侧同步整流、直流-直流转换器、家用电器、电机驱动、负载开关和 LED 照明。

标准级兼容性

沟槽 MOSFET 技术

热效率高的小型封装

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