制造商编号

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN3R3-100SSFJ, PSM系列

RS 库存编号:: 219-467
制造商零件编号:: PSMN3R3-100SSFJ
制造商:: Nexperia

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN3R3-100SSFJ, PSM系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 卷，共 1 件）*

RMB33.80

(不含税)

RMB38.19

最后的 RS 库存

最终 1,976 个，准备发货

Tape(s)	Per Tape
1 - 9	RMB33.80
10 - 99	RMB30.39
100 - 499	RMB28.08
500 - 999	RMB26.02
1000 +	RMB21.16

* 参考价格

RS 库存编号:: 219-467
制造商零件编号:: PSMN3R3-100SSFJ
制造商:: Nexperia

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Nexperia
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	LFPAK
	系列	PSM
	安装类型	表面
	引脚数目	5
	最大漏源电阻 Rd	3.3mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	159nC
	最大功耗 Pd	341W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	Ha-free, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Nexperia
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 LFPAK
	系列 PSM
	安装类型表面
	引脚数目 5
	最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 159nC
	最大功耗 Pd 341W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 Ha-free, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - PSMN3R3-100SSFJ

COO (Country of Origin):: MY

Nexperia N 沟道 MOSFET 的工作温度可达 175°C，是工业和消费应用的理想之选。主要应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的同步整流、初级侧开关、BLDC 电机控制、全桥和半桥电路以及电池保护。

强大的雪崩能量等级

雪崩等级和 100% 测试

无有害物质，符合 RoHS 标准

Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN3R3-100SSFJ, PSM系列

批量定价选项

相关链接

Nexperia N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN3R3-100SSFJ, PSM系列