Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 180 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, PSMN2R0-40YLBX, PSM系列

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RS 库存编号:
219-518
制造商零件编号:
PSMN2R0-40YLBX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

PSM

包装类型

LFPAK

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.1mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

166W

最大栅源电压 Vgs

10 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
Nexperia N 沟道 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 超级结技术。它专为高性能功率开关应用而设计。主要应用包括自动化、机器人、直流-直流转换器、无刷直流电机控制、工业负载开关、电子保险丝和浪涌管理。

寄生电感和电阻低

高可靠性夹式粘接和焊接芯片连接电源 SO8 封装

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