ROHM P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=100 V, Id=1 A, 8针, HUML2020L8, UT6系列

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包装方式:
RS 库存编号:
264-719
制造商零件编号:
UT6JE5TCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

1A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

UT6

包装类型

HUML2020L8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

840mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.7nC

最大功耗 Pd

2W

晶体管配置

Pch+Pch

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

ROHM Dual Pch+Pch 是一种低导通电阻 MOSFET,非常适合开关应用。该产品包括两个 -100V MOSFET,采用小型表面贴装封装 (DFN2020-8D)。

小型表面贴装封装

无铅电镀,符合 RoHS 规范

无卤素

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