ROHM , 2 P型沟道 Pch+Pch 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1 A, HUML2020L8, 表面安装, 8引脚, UT6系列, UT6JE5TCR
- RS 库存编号:
- 264-719
- 制造商零件编号:
- UT6JE5TCR
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB2.237 | RMB55.93 |
| 100 - 225 | RMB2.124 | RMB53.10 |
| 250 - 475 | RMB1.968 | RMB49.20 |
| 500 - 975 | RMB1.812 | RMB45.30 |
| 1000 + | RMB1.744 | RMB43.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-719
- 制造商零件编号:
- UT6JE5TCR
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HUML2020L8 | |
| 系列 | UT6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 840mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | Pch+Pch | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HUML2020L8 | ||
系列 UT6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 840mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 Pch+Pch | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM Dual Pch+Pch 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。该产品包括两个 -100V MOSFET，采用小型表面贴装封装 (DFN2020-8D)。
小型表面贴装封装
无铅电镀，符合 RoHS 规范
无卤素