ROHM P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=3.5 A, 7针, DFN

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RS 库存编号:
223-6394
制造商零件编号:
UT6JB5TCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

DFN

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

1.22Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.2nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

2W

最低工作温度

-55°C

晶体管配置

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

2mm

高度

0.65mm

宽度

2mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 采用 DFN2020-8D 封装类型。它主要用于切换。

低接通电阻

小型表面安装封装

无铅电镀,符合 RoHS 标准

无卤素

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