onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=145 A, 18针, PIM18, NXH系列

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包装方式：
RS 库存编号:
277-050
制造商零件编号:
NXH008P120M3F1PTG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

145A

最大漏源电压 Vd

1.2kV

包装类型

PIM18

系列

NXH

安装类型

卡入式安装

引脚数目

18

最大漏源电阻 Rd

10.9mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

22V

正向电压 Vf

6.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

419nC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

34.2W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

安森美半导体电源模块包含一个 8 mΩ、1200V SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻，全部采用 F1 封装。该模块专为高效电源应用而设计，是太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电动汽车充电站和工业电源系统的理想之选。

压入式插销

无铅

无卤素，符合 RoHS 标准

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