onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=42 A, 18针, PIM18, NXH系列
- RS 库存编号:
- 277-056
- 制造商零件编号:
- NXH030P120M3F1PTG
- 制造商:
- onsemi
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- NXH030P120M3F1PTG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | PIM18 | |
| 系列 | NXH | |
| 安装类型 | 卡入式安装 | |
| 引脚数目 | 18 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 38.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 正向电压 Vf | 6V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 42A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 PIM18 | ||
系列 NXH | ||
安装类型 卡入式安装 | ||
引脚数目 18 | ||
最大漏源电阻 Rd 38.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
正向电压 Vf 6V | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
安森美半导体电源模块包含一个 30 mΩ、1200V SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻，全部采用 F1 封装。该模块专为高效电源转换而设计，是太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电动汽车充电站和工业电源系统等应用的理想之选。
压入式插销
无铅
无卤素，符合 RoHS 标准
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