制造商编号

onsemi N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=51 A, 3针, TO-247-4L, NTH系列

RS 库存编号:: 327-809
制造商零件编号:: NTHL032N065M3S
制造商:: onsemi

onsemi N沟道MOSFET, Vds=650 V, Id=51 A, 3针, TO-247-4L, NTH系列

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单位	每单位
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RS 库存编号:: 327-809
制造商零件编号:: NTHL032N065M3S
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	51A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-247-4L
	系列	NTH
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	44mΩ
	通道模式	N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	55nC
	最大功耗 Pd	200W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	22V
	正向电压 Vf	4.5V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 51A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-247-4L
	系列 NTH
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 44mΩ
	通道模式 N
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC
	最大功耗 Pd 200W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 22V
	正向电压 Vf 4.5V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - NTHL032N065M3S

COO (Country of Origin):: CN

安森美半导体 SiC MOSFET 优化用于快速开关应用，采用平面技术，确保在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰情况下可靠工作。该系列 MOSFET 在使用 18V 栅极驱动时性能最佳，但在使用 15V 栅极驱动时也能有效工作。

无卤素，符合 RoHS 规范

15V 至 18V 栅极驱动器

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