onsemi N沟道MOS管, Vds=650 V, 51A, TO-247-4L, 通孔安装, 3引脚, NTH系列
- RS 库存编号:
- 327-809
- 制造商零件编号:
- NTHL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB53.90 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 327-809
- 制造商零件编号:
- NTHL032N065M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-247-4L | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-247-4L | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体 SiC MOSFET 优化用于快速开关应用，采用平面技术，确保在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰情况下可靠工作。该系列 MOSFET 在使用 18V 栅极驱动时性能最佳，但在使用 15V 栅极驱动时也能有效工作。
无卤素，符合 RoHS 规范
15V 至 18V 栅极驱动器
15V 至 18V 栅极驱动器