STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 373 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3), 表面安装, 8引脚, STL130N4LF8, STL系列
- RS 库存编号:
- 330-473
- 制造商零件编号:
- STL130N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥10.70
(不含税)
¥12.09
(含税)
有库存
- 另外 3,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB10.70 |
| 10 - 99 | RMB9.63 |
| 100 - 499 | RMB8.85 |
| 500 - 999 | RMB8.27 |
| 1000 + | RMB7.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-473
- 制造商零件编号:
- STL130N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 373A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerFLAT (3.3 x 3.3) | |
| 系列 | STL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 373A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerFLAT (3.3 x 3.3) | ||
系列 STL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 40 V 和 100 V 功率 MOSFET 具有更高的功率密度，可在不影响电气性能的前提下使用更小的封装实现紧凑的系统设计。它们通过增强对输出电压过冲的滤波，提高了抗噪能力。
优化栅极电荷，提高换向速度
更强的抗假接通能力