ROHM 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 8.5 A, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, HP8KE5TB1, HP8KE5系列
- RS 库存编号:
- 331-686
- 制造商零件编号:
- HP8KE5TB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB5.314 | RMB53.14 |
| 100 - 240 | RMB5.051 | RMB50.51 |
| 250 - 490 | RMB4.677 | RMB46.77 |
| 500 - 990 | RMB4.304 | RMB43.04 |
| 1000 + | RMB4.143 | RMB41.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 331-686
- 制造商零件编号:
- HP8KE5TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSOP-8 | |
| 系列 | HP8KE5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 193mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 20W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 8.5A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSOP-8 | ||
系列 HP8KE5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 193mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 20W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.9nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 功率 MOSFET 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关和电机驱动应用。这款功率 MOSFET 采用小型表面贴装封装。
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素
经过 100% Rg 和 UIS 测试