Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=189 A, 7针, PG-TO263-7, IMB系列

RS 库存编号:: 349-092
制造商零件编号:: IMBG120R008M2HXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=189 A, 7针, PG-TO263-7, IMB系列

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RS 库存编号:: 349-092
制造商零件编号:: IMBG120R008M2HXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	189A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	PG-TO263-7
	系列	IMB
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	21mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	195nC
	最大功耗 Pd	800W
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最高工作温度	200°C
	高度	4.5mm
	标准/认证	JEDEC47/20/22, RoHS
	长度	15mm
	宽度	10.2mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 189A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 PG-TO263-7
	系列 IMB
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 21mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 195nC
	最大功耗 Pd 800W
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最高工作温度 200°C
	高度 4.5mm
	标准/认证 JEDEC47/20/22, RoHS
	长度 15mm
	宽度 10.2mm
	汽车标准否

Datasheet - IMBG120R008M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IMB 系列 MOSFET，1200V 漏源电压，189A 连续漏极电流 - IMBG120R008M2HXTMA1

该MOSFET是一款高压N沟道增强型器件，专为严苛的功率开关环境而设计。它适用于需要大量电流处理和高耐温性的表面贴装应用。该元件符合公认的行业封装规范，适用于需要稳健导通和开关能力的工业电源级应用。

特性和优点：

• 800W功耗可实现持续的高功率运行
• 1200V漏源极额定电压支持高压拓扑结构
• 189A 连续漏极电流可实现大负载导通
• 21mΩ Rds(on)，在负载下提供低导通损耗
• 195nC典型栅极电荷，适用于高能开关
• 7针PG-TO263-7封装，简化了高功率表面安装

应用

• 适用于工业反相器和转换器级
• 适用于高压开关模式电源
• 与需要高电流的电机驱动电源模块配合使用
• 可用于可再生能源电力电子设备
• 适用于快速开关、高能开关电路

在恶劣条件下，它的工作温度范围是多少？

它的工作温度范围为 -55°C 至 200°C，可在极端高温环境中部署。

封装类型对于在生产电路板上的组装有何影响？

PG-TO263-7表面贴装封装提供一种紧凑、薄型解决方案，专为优化自动焊接和散热器连接而设计。

控制接口能够耐受的栅极电压是多少？

该器件支持高达25V的栅极电压，可以兼容常见的栅极驱动器输出。

该器件是增强型还是耗尽型？

它是一款N沟道增强模式晶体管，适用于传统栅极驱动开关拓扑。