Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=103 A, 4针, PG-TO247-4, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-334
- 制造商零件编号:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 349-334
- 制造商零件编号:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 103A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | PG-TO247-4 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 79nC | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 103A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 PG-TO247-4 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 23V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79nC | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC系列MOSFET，650V漏源电压，103A连续漏极电流 - IMZA65R015M2HXKSA1
这款MOSFET是一款碳化硅功率晶体管，专为严苛工业环境中的高压开关应用而设计。它作为N沟道增强型器件工作，采用四引脚PG-TO247-4通孔封装，适合散热和传统组装方法。该元件支持持续大电流工作，并规定了宽温度范围的使用条件，因此适用于需要在高结温下持续进行功率处理的系统。
特性和优点：
• 650V漏极电压，支持高压开关应用
• 103A的持续漏极电流，支持大电流负载
• 18mΩ导通电阻可降低导通损耗，从而提升效率
• 79 nC典型栅极电荷，带来可预测的开关特性
• 341W最大功耗，可承受较大的热负载
• 额定温度范围为-55°C至175°C，适用于极端温度操作
• 103A的持续漏极电流，支持大电流负载
• 18mΩ导通电阻可降低导通损耗，从而提升效率
• 79 nC典型栅极电荷，带来可预测的开关特性
• 341W最大功耗，可承受较大的热负载
• 额定温度范围为-55°C至175°C，适用于极端温度操作
应用
• 适用于工业电机驱动功率级应用
• 适用于高压电源和变频器
• 适用于转换器的坚固散热片组件
• 可用于高电流DC-DC转换系统
• 适用于通孔功率电子器件的替换
• 适用于高压电源和变频器
• 适用于转换器的坚固散热片组件
• 可用于高电流DC-DC转换系统
• 适用于通孔功率电子器件的替换
它采用什么封装和安装方式？
该器件采用 PG-TO247-4 封装，支持通孔安装，可通过焊接或螺栓连接方式安装散热器。
栅极规格对开关设计有何影响？
79nC 的典型栅极电荷反映了栅极驱动能量，并影响所选驱动器的强度与开关速度之间的权衡。
设计人员应考虑哪些热限制？
该器件在指定条件下可耗散高达341W的功率，并且额定工作温度可达175°C，适用于高温系统设计。
它是否符合汽车标准要求？
它未标明符合汽车行业标准认证，应根据汽车行业的资质要求进行评估。
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