Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=400 V, Id=99 A, 4针, TO-247-4, CoolSiC系列

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RS 库存编号:
762-902
制造商零件编号:
IMZA40R015M2HXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

99A

最大漏源电压 Vd

400V

包装类型

TO-247-4

系列

CoolSiC

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

15mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

62nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

273W

正向电压 Vf

4.3V

最大栅源电压 Vgs

23V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

13.5mm

高度

5.1mm

长度

21.1mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Infineon CoolSiC MOSFET特别适用于高频开关和同步整流,并具有基准栅极阈值电压。此外,它还采用XT互连技术,实现了同类最佳的热性能。

100% 雪崩测试

推荐门驱动电压

符合工业应用标准

用于储能、UPS 和电池形成

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