Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=83 A, 4针, PG-TO247-4, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-335
- 制造商零件编号:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMZA65R020M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 83A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TO247-4 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 57nC | |
| 最大功耗 Pd | 273W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 83A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TO247-4 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 57nC | ||
最大功耗 Pd 273W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC系列MOSFET，650V漏源电压，83A连续漏极电流 - IMZA65R020M2HXKSA1
这款MOSFET是一款专为电力电子系统中的高压开关应用设计的碳化硅功率晶体管。它作为N沟道增强型器件，在需要高效率和耐热性的电能转换及控制应用中发挥作用。该元件采用通孔PG-TO247-4封装，专为在严苛的电子装配中实现稳固安装和有效散热而设计。
特性和优点：
• 650V的阻断能力支持高压设计
• 24mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 83A连续漏极电流，支持大电流运行
• 273W 功耗有助于热管理
• 典型栅极电荷为57nC，可实现更快的开关转换
• 额定温度范围为-55°C至175°C，扩展了工作范围
• 24mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 83A连续漏极电流，支持大电流运行
• 273W 功耗有助于热管理
• 典型栅极电荷为57nC，可实现更快的开关转换
• 额定温度范围为-55°C至175°C，扩展了工作范围
应用
• 适用于工业电机驱动和变频器
• 适用于高压电源和转换器
• 用于牵引或可再生能源功率级应用
• 可用于快速切换DC-DC转换
• 适用于需要大电流处理的电池系统
• 适用于高压电源和转换器
• 用于牵引或可再生能源功率级应用
• 可用于快速切换DC-DC转换
• 适用于需要大电流处理的电池系统
设计人员必须遵守哪些栅极电压限制？
为避免栅极过压，该器件的最大工作栅源电压不得超过23V。
封装对电路板上的热传导路径有何影响？
PG-TO247-4 通孔封装形式支持直接安装电子散热器，并能通过电路板形成顺畅的散热路径，从而增强散热性能。
从栅电荷值可以预期得到怎样的开关行为？
典型栅极电荷为57nC，表明其栅极驱动能量需求适中，在开关速度与驱动电流需求之间取得了平衡。
运行期间采用哪种沟道导通模式？
该晶体管作为增强型N沟道器件工作，需要正栅极驱动才能导通。
相关链接
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