Infineon N沟道增强型功率MOSFET, Vds=150 V, Id=55 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOS 5系列

RS 库存编号:: 349-398
制造商零件编号:: BSC152N15LS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率MOSFET, Vds=150 V, Id=55 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOS 5系列

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50 - 95	RMB16.816	RMB84.08
100 - 495	RMB15.578	RMB77.89
500 - 995	RMB14.338	RMB71.69
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RS 库存编号:: 349-398
制造商零件编号:: BSC152N15LS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	55A
	最大漏源电压 Vd	150V
	系列	OptiMOS 5
	包装类型	PG-TDSON-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	15.2mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	96W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	23nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 55A
	最大漏源电压 Vd 150V
	系列 OptiMOS 5
	包装类型 PG-TDSON-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 15.2mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 96W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSC152N15LS5ATMA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS 5 系列功率 MOSFET, 150V 漏源电压，55A 连续漏极电流 - BSC152N15LS5ATMA1

这款功率 MOSFET 是一款高压 N 通道晶体管，专为表面安装组件中的开关和功率转换角色而设计。它可在宽温度范围内运行，适用于苛刻环境，并符合工业环境标准，同时为高电流应用提供初级开关功能。

特性和优点：

• 150V 漏源额定值可实现高压开关
• 55A 连续电流，支持重载运行
• 15.2mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 23nC 典型栅极电荷，可实现快速栅极转换
• 96W 功耗保持热处理能力
• PG-TDSON-8 表面封装便于紧凑型 PCB 布局

应用

• 适用于电源的 DC-DC 转换器
• 适用于转换器的同步整流
• 与中等功率电动机的电机驱动器配合使用
• 可用于电池管理和充电系统
• 适用于通用高电流开关

为确保安全运行，我应遵守哪些栅极电压限制？

栅源电压不得超过 20V，以避免损坏栅极介质。

该组件在极端温度条件下的表现如何？

其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在冷启动和高温条件下运行，同时不会降低基本开关能力。

热性能适用的安装注意事项有哪些？

作为 PG-TDSON-8 表面安装设备，它需要足够的 PCB 铜和热过孔，在指定条件下可消耗高达 96W 的功率。

该设备是否适合汽车应用？

它不属于汽车级，因此在车辆系统中使用应考虑进一步的认证步骤。