Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=150 V, 55 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, BSC152N15LS5ATMA1, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 349-398
- 制造商零件编号:
- BSC152N15LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥64.01
(不含税)
¥72.33
(含税)
有库存
- 5,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.802 | RMB64.01 |
| 50 - 95 | RMB12.16 | RMB60.80 |
| 100 - 495 | RMB11.266 | RMB56.33 |
| 500 - 995 | RMB10.37 | RMB51.85 |
| 1000 + | RMB9.982 | RMB49.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-398
- 制造商零件编号:
- BSC152N15LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 15.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 5 功率 MOSFET 逻辑电平 150V 系列可提供与 OptiMOS 5 150V 产品相同的出色性能，并且仅需 4.5V 的 Vgs 即可运行。它采用改进的热管理并降低了系统复杂性。
开关损耗极低
专为提供 5V 的 SR 定制
高效设计