STMicroelectronics MOSFET, Vds=40 V, 103 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL系列
- RS 库存编号:
- 365-175
- 制造商零件编号:
- STL100N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 365-175
- 制造商零件编号:
- STL100N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 103A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | STL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.85mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 103A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 STL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.85mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.3 mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
高度 0.8mm | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的功率 MOSFET 是一种先进的 STripFET F8，与以前的技术相比，它的开关频率更高，这要归功于它的低器件电容，它能最大限度地降低动态参数和开关损耗。这样，设计人员就能在更紧凑、更具成本效益的解决方案中使用更小的电容和磁性元件，同时提高最终应用的功率密度。
优化栅极电荷，提高换向速度
更强的抗假接通能力
降低 RDS(on)，提高系统效率