STMicroelectronics N-通道 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 167 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL系列
- RS 库存编号:
- 366-223
- 制造商零件编号:
- STL170N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 366-223
- 制造商零件编号:
- STL170N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 工作频率 | 1 MHz | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 167A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 输出功率 | 111W | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | STL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | N-通道 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC (JESD51-5,-7) | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5.9 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
工作频率 1 MHz | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 167A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
输出功率 111W | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 STL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 N-通道 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC (JESD51-5,-7) | ||
长度 5.1mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 5.9 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 40V N 通道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅结构。它可确保先进的品质因数，实现极低的通态电阻，同时减少内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
MSL1 等级
工作结温：最高 175℃
100% 通过雪崩测试
低栅极电荷 Qg