DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60V, 527 mA, DFN1006-3, 贴片安装, 3引脚, DMN系列
- RS 库存编号:
- 427-674
- 制造商零件编号:
- DMN62D4LFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 427-674
- 制造商零件编号:
- DMN62D4LFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 527 mA | |
| 最大漏源电压 | 60V | |
| 封装类型 | DFN1006-3 | |
| 系列 | DMN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 527 mA | ||
最大漏源电压 60V | ||
封装类型 DFN1006-3 | ||
系列 DMN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex MOSFET 的设计旨在最大限度降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。
完全无铅，符合 RoHS 标准
不含卤素和锑
低栅极阈值电压
低输入电容
快速切换速度
不含卤素和锑
低栅极阈值电压
低输入电容
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