STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=900 V, Id=110 A, 4针, SCT系列

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RS 库存编号:
482-970
制造商零件编号:
SCT012W90G3-4AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

110A

最大漏源电压 Vd

900V

系列

SCT

安装类型

通孔

引脚数目

4

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

200°C

宽度

15.8mm

长度

21mm

高度

5mm

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备采用 ST 先进的创新型第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

符合 AEC-Q101 标准

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

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