Vishay N型沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, 2.3 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2308FES系列

RS 库存编号:: 653-060
制造商零件编号:: SQ2308FES-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, 2.3 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2308FES系列

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RS 库存编号:: 653-060
制造商零件编号:: SQ2308FES-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	单 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	2.3A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	SQ2308FES
	包装类型	SOT-23
	安装类型	PCB
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.15Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.3nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	高度	1.12mm
	长度	3.04mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	2.64mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型单 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 2.3A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 SQ2308FES
	包装类型 SOT-23
	安装类型 PCB
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.15Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.3nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	高度 1.12mm
	长度 3.04mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 2.64mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQ2308FES-T1_GE3

Vishay SQ2308FES系列单 MOSFET,60 V漏源电压,2.3 A连续漏电流 - SQ2308FES-T1_GE3

这款单 MOSFET 是一款 N 通道增强装置,专为电子组件中的开关和控制任务而设计。它是一款采用紧凑型 SOT-23 封装的表面贴装 MOSFET,专为 PCB 安装和需要在工业和汽车环境中进行中等电流处理和电压阻断的应用而设计。

特性和优点：

• 60 V 排放电压为切换提供强大的电压保持力
• 2.3 A 连续电流容量支持中等功率负载
• 0.15 Ω Rds(on),可最大程度地减少运行过程中的导电损耗
• 5.3 nC 栅极电荷可实现灵敏的栅极驱动性能
• 2W 功耗可在小型封装中实现可靠的热处理
• 20V 栅极额定值可适应常见的栅极驱动电压

应用

• 适用于符合AEC‐Q101标准的汽车辅助电源开关
• 适用于工业自动化控制器的负载切换
• 用于紧凑型电源中的直流-直流转换阶段
• 可用于小型机电系统中的电机驱动器级
• 与电池管理电路配合使用,适用于中等电流路径

在严苛环境中,它能承受哪些极端温度?

该设备专为在 -55°C 至 175°C 的接点或工作温度限制范围内工作而设计。

封装中有多少引脚?这对布局有何影响?

SOT-23封装提供三个引脚,简化了占地面积要求,并支持单开关实施的紧凑型PCB布局。

它符合哪些制造和环境标准?

该组件符合对受限物质的 RoHS 要求,支持无铅制造工艺。

Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, 2.3 A, SOT-23, PCB安装, 3引脚, SQ2308FES系列

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