Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 2.3 A, SOT-23-3, 表面安装, 3引脚, SQ2308FES-T1_BE3, SQ2308FES系列
- RS 库存编号:
- 735-118
- 制造商零件编号:
- SQ2308FES-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-118
- 制造商零件编号:
- SQ2308FES-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-23-3 | |
| 系列 | SQ2308FES | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.15Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 3.01mm | |
| 长度 | 2.36mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.3A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-23-3 | ||
系列 SQ2308FES | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.15Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 3.01mm | ||
长度 2.36mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N-Channel MOSFET专为在要求严苛的应用中实现高效电源管理而设计。它的最大漏源电压为60V，符合AEC-Q101标准。
支持高达±20V的栅源电压
工作温度范围宽：-55°C至+175°C
设计用于最大限度减少运行时的热阻