Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=60 V, Id=2.3 A, 3针, SOT-23, Si2308BDS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
710-3257
制造商零件编号:
SI2308BDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.3A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

系列

Si2308BDS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.192Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.3nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

1.66W

最高工作温度

150°C

宽度

1.4mm

长度

3.04mm

高度

1.02mm

标准/认证

IEC 61249-2-21

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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