Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=350 A, 4针, PowerPAK, SQJA36EP系列

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Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=350 A, 4针, PowerPAK, SQJA36EP系列
RS 库存编号
653-069

1 带 1 套

RMB12.12

(不含税)

RMB13.70

(含税)

RS 库存编号:
653-068
制造商零件编号:
SQJA36EP-T1_JE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

350A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SQJA36EP

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.00124Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

500W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

86nC

最高工作温度

175°C

高度

1.1mm

宽度

6.25mm

标准/认证

AEC-Q101

长度

6.25mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 汽车级 N 通道 MOSFET 设计用于在功率密集环境中进行高效切换。它支持高达 40 V 排放源电压,并可处理高达 350 A 的连续排放电流,使其特别适用于要求严苛的汽车应用。它采用 PowerPAK SO-8L 封装,具有 TrenchFET Gen IV 技术,可实现超低 RDS(on) 和优化的切换性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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