Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 350 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJA36EP-T1_GE3, SQJA36EP系列

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RS 库存编号:
200-6822
制造商零件编号:
SQJA36EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

350A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SQJA36EP

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1.24mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

107nC

最大功耗 Pd

500W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

长度

4.2mm

宽度

1.1 mm

高度

6.25mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay SQJA36EP T1 GE3 是一款汽车用 n 沟道 40V ( d-s ) 175°c mosfet 。

trench场 效应第四代功率 mosfet

符合 AEC-Q101

经过 100% rg 和 uis 测试

qgd/qgs 比< 1 可优化切换

特性