Vishay N沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 375 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SQJA36EP-T1_BE3, TrenchFET系列

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851-493
制造商零件编号:
SQJA36EP-T1_BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

375A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强模式

最大功耗 Pd

500W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

107nC

最大栅源电压 Vgs

0V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

高度

1mm

宽度

5mm

长度

6mm

标准/认证

AEC-Q101 Qualified

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay 汽车 N 通道 MOSFET 可在高电压下提供可靠的性能。专为高效电源管理而设计,适用于严苛的汽车应用。

通过AEC-Q101汽车可靠性认证

TrenchFET Gen IV 技术可确保提高效率

100% R 和 UIS 测试,确保质量

接通状态电阻可优化开关特性