Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, 136 A, PowerPAK, 表面安装, 4引脚, SQJQ114EL-T1_GE3, SQJQ114EL系列

N

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RS 库存编号:
653-071
制造商零件编号:
SQJQ114EL-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

136A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PowerPAK

系列

SQJQ114EL

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.0055Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

277W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

158nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC-Q101

宽度

8 mm

长度

8mm

高度

1.9mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 汽车级 N 通道 MOSFET 经过优化,可在恶劣环境中进行高效电源切换。它支持高达 100 V 排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作。它采用 PowerPAK 8x8L 封装,利用 TrenchFET Gen IV 技术实现卓越的热性能和电气性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准