Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-80 V, Id=-175 A, 4针, PowerPAK (8x8L), TrenchFET系列

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735-252
制造商零件编号:
SQJQ181EL-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-175A

最大漏源电压 Vd

-80V

包装类型

PowerPAK (8x8L)

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.012Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

348W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

153nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

8mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

7.9mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

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