Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=-80 V, -175 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SQJQ181EL-T1_GE3, TrenchFET系列

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735-252
制造商零件编号:
SQJQ181EL-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-175A

最大漏源电压 Vd

-80V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK (8x8L)

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.012Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

153nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

348W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

7.9 mm

长度

8mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN