Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=30 V, Id=6 A, 8针, PowerPAK, SQ2310CES系列

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653-116
制造商零件编号:
SQ2310CES-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SQ2310CES

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.03Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

8V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

2W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.5nC

最高工作温度

175°C

宽度

2.64mm

标准/认证

AEC-Q101

高度

1.12mm

长度

3.04mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay 紧凑型汽车级 N 通道 MOSFET 专为低电压切换应用而设计。具有 20 V 的排水源额定电压和 175 °C 的最大接线温度,特别适用于空间受限、热要求严苛的环境。它采用 SOT-23 封装,并利用 TrenchFET 技术实现高效性能。

符合 AEC Q101 标准

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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