Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=150 V, Id=144 A, 8针, PowerPAK, SIRS5700DP系列

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653-128
制造商零件编号:
SIRS5700DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

144A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

SIRS5700DP

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0056Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

55nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

278W

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

6.1mm

宽度

5.1mm

标准/认证

No

高度

0.95mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 MOSFET 设计用于功率密集系统中的高效切换。它支持高达 150 V 排水源电压。采用 PowerPAK SO-8S 封装,它使用 TrenchFET Gen V 技术提供超低 RDS(on)、降低门充电和出色的热性能。

无铅

无卤素

符合 RoHS 标准

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