Vishay P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, -16 A, PowerPAK, PCB安装, 8引脚, SQS201CENW-T1_GE3, SQS201CENW系列
- RS 库存编号:
- 653-188
- 制造商零件编号:
- SQS201CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥11,826.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB3.942 | RMB11,826.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-188
- 制造商零件编号:
- SQS201CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SQS201CENW | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0800Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 0.41mm | |
| 宽度 | 3.30 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -16A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SQS201CENW | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 PCB安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0800Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.30mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
高度 0.41mm | ||
宽度 3.30 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 汽车级 P 通道 MOSFET 设计用于要求严苛的环境中进行高效切换。它支持高达 100 V 排水源电压,在高达 175 °C 的接线温度下可靠工作。采用 PowerPAK 1212-8W 封装,使用 TrenchFET 技术优化电气和热性能。
符合 AEC Q101 标准
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准