Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=18 A, 8针, PowerPAK 1212, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2965
制造商零件编号:
SQS486CENW-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.1mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.79V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35.2nC

最大功耗 Pd

62.5W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay TrenchFET 汽车 N 通道是 40 V 功率 MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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