STMicroelectronics N沟道增强型, Vds=650 V, Id=55 A, 7针, H2PAK-7, STPOWER Gen3 SiC MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 671-932
- 制造商零件编号:
- SCT018H65G3-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 671-932
- 制造商零件编号:
- SCT018H65G3-7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| 包装类型 | H2PAK-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 18V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 385W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.25mm | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
包装类型 H2PAK-7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 18V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79.4nC | ||
最大功耗 Pd 385W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.25mm | ||
高度 4.8mm | ||
宽度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
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