STMicroelectronics N型沟道 增强型, Vds=650 V, 55 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SiC MOSFET系列, SCT018W65G3AG
- RS 库存编号:
- 671-935
- 制造商零件编号:
- SCT018W65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 671-935
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- SCT018W65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 系列 | SiC MOSFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 398W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 76nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 长度 | 35.9mm | |
| 高度 | 5.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 Hip-247 | ||
系列 SiC MOSFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 398W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 76nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
长度 35.9mm | ||
高度 5.15mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN