STMicroelectronics P-通道沟道 增强型 晶体管, Vds=700 V, 26 A, TO-LL, 表面安装, 13引脚, SGT070R70HTO, G-HEMT系列

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719-630
制造商零件编号:
SGT070R70HTO
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

晶体管

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

700V

系列

G-HEMT

包装类型

TO-LL

安装类型

表面

引脚数目

13

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-6, 7V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.5nC

最大功耗 Pd

231W

最高工作温度

150°C

长度

10.58mm

高度

2.4mm

宽度

10.4mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 700 V 26 A 电子模式 PowerGaN 晶体管采用了非常成熟的包装技术。由此产生的 G-HEMT 设备导电损耗极低、电流容量高、切换操作超快，可实现高功率密度和出色的效率性能。

增强模式常关型晶体管

开关速度非常高

高功率管理能力

电容极低

开尔文源极焊盘，可实现理想的栅极驱动

零反向恢复电荷

ESD 保护

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