Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 64 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiRA18BDP-T1-GE3, TrenchFET系列

N

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制造商零件编号:
SiRA18BDP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00702Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

36W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

长度

6.25mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

5.3mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
TW